SPISAK OBJAVLJENIH RADOVA
A list of published papers
Dr Zoran T. Pavlović
a. RADOVI OBJAVLJENI U INTERNACIONALNIM ČASOPISIMA
Contributed papers in international journals
a.1 Z. Pavlović, Z. Prijić, S. Ristić and N. Stijadinović, ”Temperature Dependence on-Resistance in low-voltage VDMOS Power Transistors”, Mikroelectronics Journal, Vol.24, pp. 115-124, 1993.
a.2 Z. Prijić, Z. Pavlović, S. Ristić and N. Stojadinović, “On the Zero-Temperature Coefficient (ZTC) Biasing of Power VDMOS Transistors”, Electronics Letters, Vol. 29, pp. 435-437, 1993.
a.3 D. Pantić, Z. Prijić and Z. Pavlović, “Process Design and Optimization of the Channel Doping Profile in Power VDMOSFETs”, Mikroelectronics Journal, Vol. 27, pp. 191-200, 1996.
a.4 Z. Prijić, P. Igić, Z. Pavlović and N. Stojadinović, “Simple Method for the Extaction of Poer VDMOS Transistor Parameters”, Microelectrinics Journal, Vol. 27, pp. 567-570, 1996.
a.5 Z. Pavlović, I. Manić, Z. Prijić and N. Stojadinović, “Temperature Distribution in the Cells of Low-voltage Power VDMOS transistor”, Microelectronics Journal, Vol.30, pp. 109-113 , 1999.
a.6 I. Manić, Z. Pavlović, Z.Prijić, V. Davidović and N. Stojadinović, ”Analytical modeling of Electrical Characteristics in g-Irradiated Power VDMOS Transistors”, Microelectronics Journal,Vol. 32, pp. 485-490, 2001
a.7 A. Prijic, B. Pešić, Z. Prijić , D. Pantić and Z. Pavlović, “3D Simulation of Electrical and Thermal Characteristics of Elecric Contacts”, Electronics, Vol.6, pp.3-5,2002.
b. RADOVI OBJAVLJENI U NACIONALNIM ČASOPISIMA
Contributed papers in national journals
b.1 Z. Pavlović, D. Petković i Lj. Ristić, "Uticaj silokonskog laka na karakteristike tranzistora snage", Ei-Elektronika, Niš, Vol.1, str.21-26,1980.
b.2 Z. Pavlović, S. Djordjević, S. Todorov, J. Karamarković, D. Petković, “Modeliranje karakteristika i tehnologije izrade VDMOSFET tranzistora snage”, Ei-Elektronika, Niš, Vol. 8, str. 17-35 , 1988.
b.3. Z. Pavlović, I. Manić i S. Golubović, "Effects of g-Iradiation on Electrical
Characteristics of Power VDMOS Transistors", Facta Universitatis, Series
Physics, Chemistry and Technology, Vol.2, No. 4, pp. 223-232, 2002.
b.4 A. Prijić, B. Pešić, Z. Prijić, D. Pantić, Z. Pavlović, “Temperature and Yield Stress Characterisation of Electric Contacts by 3D Numerical Simulation”, Serbian Journal of Electrical Enginering, vol.2, No.1, May 2005, pp77-91.
c. RADOVI OBJAVLJENI NA INTERNACIONALNIM NAUČNIM SKUPOVIMA
c.1 Z. Pavlović, S. Milosavljević, M. Vlajković, “An Eksperimental Analysis of the Dynamic Resistance of High-Voltage Referent Diodes”, Proc. of 17th Yug. conference on microelectronics (MIEL’89), vol. 1, Niš 1989 (pp. 719-724).
c.2 Z. Pavlović, Z. Prijić, S. Ristić , N. Stojadinović, “High Temperature Behaviour of Power VDMOS Transistors”, Proc, 3rd Europaen Symposyum on Reliability of Electrin Devices Failure Physics and Analysis (ESREF’92), Schwabich Gmud 1992, Gegmany (pp. 47-50).
c.3 Z. Pavlović, Z. Prijić, T. Jovanović, S. Ristić, N. Stojadinović. “An Improwed Model for the I-V Characteristics of Power VDMOS Transistors in Strong Inversion”, Proc. Internacional Seminar of Power Semiconductors (ISP’92), Prague 1992, Czechoslovakia (pp. 94-101).
c.4 Z. Prijić, Z. Pavlović, S. Ristić, T. Jovanović and N. Stojadinović, “High Temperature Behaviour of MOS Devices: A Review”, Proceedings of 16th Anual Semiconductor Conference (CAS’93), Sinaia 1993, Romania (pp. 425-434).
c.5 Z. Pavlović, Z. Prijić, T. Jovanović and N. Stojadinović, “Temperature Dependence of On-Resistance in Power VDMOS Transistors”, Proceedings of 2nd Serbian Conference on Microelektronics (MIOPEL-93), Niš 1993, Serbija, Yugoslavia (pp. 87-92).
c.6 Z. Pavlović, Z. Prijić, D. Pantić, T. Trajković, P. Igić, “Process Design and Optimization of the Channel Doping Profile in Pover VDMOSTs”, Proc. Internacional Seminar of Power Semiconductors (ISP’94), Prague 1994, Czechoslovakia (pp. 121-126 ).
c.7 B. Pešić, N. Tošić, Z. Prijić, Z. Pavlović and N. Stojadinović, “Reliability of Power VDMOS Transistors”, Proc. 4rd European Symposium on Reliabity of Electron Devices Failure Physics and Analysis (ESREF’95), Bordeaux-Arcachon-France , 3-6 Oktober 1995 (pp. 111-116).
c.8 Z. Pavlović, I. Manić, T. Jovanović and Z. Prijić, “Temperature Dependence of High-Voltage VDMOS power Transistor Transconductance”, Electronica-96, Botevgrad , Bulgaria 1996, 10-11 Oktober 1996 (pp. 267-272).
c.9 M. Odalović, B. Vučković, I. Manić and Z. Pavlović,”Investigation of Radiation Sensitivity and Postiradiation Thermal Sensitivity of MOS Transistor”, Proceedings of 21st International Conference on Microelektronics (MIEL-97), Niš 1997, Serbija, Yugoslavia, (pp. 357-360).
c.10 Z. Pavlović, I. Manić anad Z. Prijić,”Temperature Distribution in VDMOS PowerTransistor Cells”, Proceedings of 21st Internacional Conference on Microelektronics(MIEL-97), Niš 1997, Serbija, Yugoslavia, (pp. 403-406).
c.11 Z. Pavlović, I. Manić, Z. Prijić and N. Stojadinović, “Temperature Dependence of ON-Resistance in High-Voltage Power VDMOS Transistors” Proc. 4th Interna-tional Semoinar on Power Semiconductors (ISPS’98), Prague, Czech Republic, 2-4 September 1998, (pp.227-232).
c.12 Z. Pavlović, I. Manić, Z. Prijić and N. Stojadinović, “Influence of Channel DopantConcentration and Temperature on Low-Voltage VDMOS Transistor ON-Resista-nce”, Proc. Proceedings of 21th Anual Semiconductor Conference (CAS’98), Sinaia 1998, Romania, 6-10 October 1998, (pp. 153-156).
c.13 Z. Pavlović, I. Manić, Z. Prijić and N. Stojadinović, “Influence of Gate Oxide Charge Density on VDMOS Transistor ON-Resistance”, Proceedings of 22st Internacional Conference on Microelektronics(MIEL-99), Niš 2000, Serbija, Yugoslavia, 14-17 Maj 2000(pp. 663-666).
c.14 I. Manić, Z. Pavlović, Z. Prijić, V. Davidović and N. Stojadinović,”Influence of g - Iradiation on Electrical Characteristis of Power VDMOS Transistors”, Proc. 5th International Semoinar on Power Semiconductors (ISPS’2000), Prague, Czech Republic, 2-4 September 2000 (pp. 203-208).
c.15 I.Manić, Z. Pavlovic, S. Golubović,S. Djorić, V. Davidović, N. Stojadinović, “Effects of g - Irradiation on Drain Current and Transconductance in Power VDMOS Transistors”, Poland 2001, (pp. 333-338).
c.16 A. Prijić, B. Pećić, Z. Prijić, D. Pantić i Z. Pavlović, "3D simulacija električnih i termičkih karakteristika električnih kontakata", IV Simpozijum Industrujska Elektronika, INDEL-2002, Republika Srpska, Banja Luka, (str.25-27), 2002.
c.17 A. Prijić, B. Pešić, Z. Prijić, D. Pantić i Z. Pavlović, "3D Simulation of Electric Contacts Temperatures and Yeld Stress Distributions”, Proc of 7th Interanational Symposium on Microeletrinics Technologies and Microsystems - MTM’03, pp. 57-62, Sofia-Sozopol, Bulgaria, 2003.
c.18 Z.Pavlović, I. Manić i N. Stojadinović, "A Improved Analytical Model of IGBT in Forved Conduction Mode", Proceedings of 22st Internacional Conference on Microelektronics(MIEL-2004), Niš 2004, Serbija & Montenegro, 14-17 Maj 2004, (pp163-66).
d. RADOVI SAOPŠTENI NA NACIONALNIM NAUČNIM SKUPOVIMA
Papers presented in national scientific meetings
d.1 Lj. Ristić, M. Stojanović, S. Orlović, Z. Pavlović, “Naprezanja u epitaksijalnom sloju silicijuma nastala densifikacijom CVD oksida - uticaj na karakteristike tranzistora”, Zbornik radova XXII jugoslovenske konferencije za ETAN, vol. 1, Maribor 1979 (str. 347-354).
d.2 Z. Pavlović, D. Petković, Lj. Ristić, “Ispitivanje silikonskog laka koristeći MIS strukturu”, Zbornik radova VIII jugoslovenskog savetovanja o mikroelektronici (MIEL’80), Niš 1980 (str. 25-31).
d.3 Z. Pavlović, D. Petković, “Osobine dvostrukog sloja za pasivizaciju površine poluprovodničkih elemenata”, Zbornik radova XVI simpozijuma o elektronskim sastavnim delovima i materijalima (SD’80), Ljubljana 1980 (str. 197-201).
d.4 D. Petković, Z. Pavlović, “Uticaj defekata pakovanja izazvanih oksidacijomna neke krakteristike poluprovodničkih elemenata”, Zbornik radova XXV Jugoslovenske konferencije za ETAN, vol. 1, Mostar 1981 (str. 517-523).
d.5 Z. Pavlović, “Efikasnost bočnog dela emitora bipolarnih tranzistora snage”, Zbornik radova XXV Jugoslovenske konferencije za ETAN, vol. 1, Mostar 1981 (str. 541-548).
d.6 Z. Pavlović, “Uticaj bočnog dela emitorskog spoja na karakteristike tranzistora snage”, Zbornik radova IX Jugoslovenskog savetovanja mikroelektronici (MIEL’81), Ljubljana 1981 (str. 39-48).
d.7 Z. Pavlović, R. Atanasković, “Projektovanje i realizovanje filtra na bazi površinskih akustičnih talasa”, Zbornik radova XVII simpozijuma o elektronskim sastavnim delovima i materijalima (SD’81), Ljubljana 1981 (str. 221-215).
d.8 Z. PavlovIć, N. Stojadinović, “Uticaj bočnog dela emitorskog spoja na temperaturnu zavisnost strujnog pojačanja tranzistora sange”, Zbornik radova X Jugoslovenskog savetovanja o mikroelektronici (MIEL’82), Banja Luka 1982 (str. 277-282).
d.9 N. Stojadinović, Z. Pavlović, S. Milosavljević, “Uticaj bočnog dela emitorskog spoja na strujno pojačanje tranzistora snage”, Zbornik radova XI simpozijuma o elektronskim sastavnim delovima i materijalima (SD’89), Ljubljana 1982
(str. 45-54).
d.10 D. Jovanović, Z. Pavlović, “Primena Tranzistora snage sa negativnom otporbošću izlaznih karakteristika u astabilnom kolu”, Zbornik radova XXVI Jugoslovenske konferencije za ETAN, vol. 1, Subotica 1982 (str. 54-66).
d.11 Z. Pavlović, Lj. Ristić, “Uticaj metalizacije kolektora homotaksijalnih tranzistora snage na sekundarni proboj”, Zbornik radova XXVII jugoslovenske konferencije za ETAN, vol. 1, Struga 1983 (str. 259-266).
d.12 Z. Pavlović, S. Milosavljević, N. Stojadinović, “Eksperimentalna analiza strujnog pojačanja tranzistora sange”, Zbornik radova XXVII Jugoslovenske konferencije za ETAN, vol. 1, Struga 1983 (str. 243-249).
d.13 Lj. Ristić, S. Orlović, Z. Pavlović, M. Vlajković, ”Ispitivanje uticaja metalizacije kolektorske strane tranzistora snage sa epitaksijalnom bazom na sekundarni proboj”, Zbornik radova XI Jugoslovenskog savetovanja o mikroelektronici (MIEL’83), Zagreb 1983 (str. 447-456).
d.14 Lj. Ristić, Z. Pavlović, S. Orlović, M. Vlajković, “ Ispitivanje uticaja debljine metalizacije emitora na PBR (područje bezbednog rada) tranzistora snage sa epitaksijalnom bazom “, Zbornik referata XXVIII Jugoslovenske konferencije za ETAN, vol. 1, Split 1984 (str. 197-204).
d.15 Lj. Ristić, Z. Pavlović, S. Orlović, L. Ilić, S. Djordjević, “A Review of Failure Occuring During the Processing of Bipolar Power Transistors”, Zbornik radova XII Jugoslovenskog savetovanja o mikroelektronici (MIEL’84), Niš 1984
(str.282-298).
d.16 Z. Pavlović, S. Djordjević, “Ekvivalentno termičko kolo tranzistora snage u uslovima esta termičkog cikliranja”, Zbornik radova XII Jugoslovenskog savetovanja o mikroelektronici (MIEL’84), Niš 1984 (str. 235-244).
d.17 S. Djordjević, Z. Pavlović, “Primena termičke otpornosti tranzistora snage u uslovima termičkog cikliranja”, Zbornik radova XIII simpozijuma o elektronskim sastavnimdelovima i materijalima (SD’84), Ljubljana 1984 (str. 27-33).
d.18 Z. Pavlović, S. Djordjević, “Strujno pojačanje darlington tranzistora snage”, Zbornik referata XIV sipozijuma o elektronskim sastavnim delovima i materijalima (SD’85), Ljubljana 1985 (str. 136-143).
d.19 S. Djordjević, Z. Pavlović, D. Petković, “Postupak za izračunavanje napona praga VDMOS FET tranzistora snage”, Zbornik radova XIV jugoslovenskog savetovanja o mikroelektronici (MIEL’86), Beograd 1986 (str. 529-535).
d.20 Z. Pavlović, S. Djordjević, D. Petković, “Postupak za izračunavanje otpornosti uključenja heksagonalnog VDMOS FET tranzistora snage”, Zbornik radova XXII sipozijuma o elektronskim sastavnim delovima i materijalima (SD’86), Otočac na Krki 1986 (str. 175-180).
d.21 D. Petković, Z. Pavlović, S. Djordjević, “Zavisnost napona praga od nekih procesnih parametara”, Zbornik radiva XXII simpozijuma o elektronskim sastavnim delovima i materijalima (SD’86), Otočac na Krki 1986 (str. 181-186).
d.22 S. Djordjević, Z. Pavlović, “Temperaturna zavisnost strujnog pojačanja tranzistora snage”, Zbornik radova XXII sipozijuma o elektronskim sastavnim delovima i materijalima (SD’87), Ljubljana 1987 (str.95-99).
d.23 Z. Pavlović, S. Djordjević, D. Petković, “ Modeliranje Parametara VDMOS FET tranzistora snage”, Zbornik referata XXXII Jugoslovenske konferencije za ETAN, v.1, Sarajevo 1988 (str. 107-114).
d.24 S. Djordjević, Z. Pavlović, S. Todorov, D. Petković, “Karakteristike VDMOS FET tranzistora snage”, Zbornik radova XXXI simpozijuma ETAN-a u pomorstvu, Zadar 1989 (str. 131-134).
d.25 S. Rašić, Z. Pavlović, G. Miletić, R. Igov, “AES karakterizacija omskog kontakta planarnih tranzistora”, Simpozijum o karakterizaciji materijala, Donji Milanovac 1989 (str. 123-129).
d.26 S. Djordjević, D. Petković, Z. Pavlović, S. Todorov, “Jedna mogućnost realizacije integrisanih komponenata snage (IKS)”, Zbornik radova XXV simpozijuma o elektronskim sastavnim delovima i materijalima (SD’89), Maribor 1989
(str. 41-48).
d.27 S. Todorov, Z. Pavlović, S. Djordjević, D. Petković, “Efekti kratkog kanala kod VDMOS tranzistora snage”, Zbornik radova XXV simpozijuma o elektronskim sastavnim delovima i materijalima (SD’89), Maribor 1989 (str. 133-140).
d.28 J. Karamarković, Z. Pavlović, “Uticaj geometrijskih faktora na strujno pojačanje planarnih tranzistora”, Zbornik radova XXV simpozijuma o elektronskim sastavnim delovuma i materijalima (SD’89), Maribor 1989 (str. 69-74).
d.29 J. Karamarković, Z. Pavlović, “Dve nove realizacije visokonaponskog tranzistora tipa 2N 3439 u planarnoj tehnologiji”, Zbornik radova XXVI simpozijuma o elektronskim sastavnim delovima i materijalima (SD’90), Ljubljana 1990
(str. 35-38).
d.30 S. Ristić, Z. Prijić, Z. Pavlović, “Uticaj spoja izmedju epitaksijalnog sloja i supstrata na karakteristike “body-drain” diode kod VDMOS tranzistora snage”, Zbornik referata XXXVI Jugoslovenske konferencije za Etan, vol. 13, Beograd
1992 (str. 55-82).
d.31 Z. Prijić, Z. Pavlović, S. Ristić, N. Stojadinović, “O postojanju tačke nultog temperaturnog koeficijenta kod VDMOS tranzistora snage”, Zbornik referata XXXVI Jugoslovenske konferencije za ETAN, vol. 13, Beograd 1992 (str. 77-84).
d.32 Z. Pavlović, Z. Prijić, S. Ristić, N. Stojadinović, “Raspodela temperature u oblasti kanala MOS tranzistora snage”, Zbornik radova I-ve Srpske konferencije o mikroelektronici i optoelektronici (MIOPEL’92), Beograd 1992 (br.rada 1.2.2).
d.33 Z. Pavlović, T. Jovanović, “Poboljšani model strujno-naponskih karakteristika visokonaponskih VDMOS tranzistora snage”, Zbornik referata XXXVII Jugoslovenske konferencije za ETRAN, vol. 4, Niš 1994 (str. 55-56)
d.34 T. Trajković, Z. Pavlović, D. Pantić, “Odredjivanje optimalnog profila primesa visokonaponskog VDMOS tranzistora snage”, Zbornik referata XXXVII Jugoslovenske konferencije za ETRAN, vol. 4, Niš 1994 (str. 53-54).
d.35 N. Tošić, B. Pešić, Z. Pavlović i N. Stojadinović, “Analiza pouzdanosti VDMOS tranzistora snage”, Zbornik referata XXXVIII Jugoslovenske konferencije za ETRAN, vol. 4, Zlatibor 1995 (str. 147-149).
d.36 Z. Pavlović, T. Jovanović, “Uticaj temperature na I-V karakteristike “Body-drain” diode VDMOS tranzistora snage”, Zbornik referata XXXVIII Jugoslovenske konferencije za ETRAN, vol. 4, Zlatibor 1995 (str. 45-48).
d.37 Z. Savić, Z. Pavlović, “Poluprovodnički dozimetriski sistem za gama i neutronsko zračenje”, Zbornik radova XVIII JSZZ, Bečići, 24-26 maj 1995 (str. 85-89).
d.38 M. Odalović, Z. Pavlović, B. Vučković i D. Mitić, “Osetljivost PMOS tranzistora
na gama zračenje i efekti njihovog termičkog oporavka”, Zbornik radova XIX
JSZZ, Bečići, 8-10 juni 1996 (str. 71-76 ).
d.39 Z. Pavlović, I. Manić, T. Jovanović, “Temperaturna zavisnost komponenata otpornosti uključenja visokonaponskih VDMOS tranzistora”, Zbornik referata XXXIX Jugoslovenske konferencije za ETRAN, vol. 4, Budva 1996 (str. 94 - 97).
d.40 A. Trajković, Z. Prijić, Z. Pavlović i S. Ristić, “Efektivna brzina rekombinacije u p-i-n diodi”, Zbornik referata XL Jugoslovenske konferencije za ETRAN, vol. 4, Zlatibor 1997 (str. 87-90)
d.41 Z. Pavlović, I. Manić, Z. Prijić i N. Stojadinović, “Zavisnost otpornosti uključenja niskonaponskih VDMOS tranzistora snage od koncentracije primesa u kanalu i temperature”, Zbornik referata XLII Jugoslovenske konferencije za ETRAN, vol. 4, Vrnjačka Banja 1998 (str. 60-63)
d.42 Z. Pavlović, M. Odalović, T. Premović, I. Manić, Z. Prijić i N. Stojadinović, “Uticaj gustine naelektrisanja u oksidu kanala na transkonduktansu VDMOS tranzistora snage”, Zbornik referata XLIII Jugoslovenske konferencije za ETRAN, vol. 4, Zlatibor 1999 (str.142-145).
d.43 I. Manić, Z. Pavlović, Z.Prijić, V. Davidović i N. Stojadinović, “Uticaj g-zračenja
na električne karakteristike MOS tranzistora snage”, Zbornik referata XLIV
Jugoslovenske konferencije za ETRAN, vol.4, Soko Banja 2000 (str. 201-204 ).
d.44 A. Prijić, B. Pešić, Z. Prijić, D. Pantić i Z. Pavlović, "3D simulacija mehaničkih,
električnih I termičkih karakteristika električnih kontakata", Zbornik radova XLVIII konferencije za ETRAN, IV sveska, str.229-232, Igalo, Srbija i Crna Gora,
jun 2003.